总投资超200亿，长飞先进武汉基地SiC项目首批设备搬入—IM电竞体育官网

12月18日，长飞先进武汉基地项目举行首批设备搬入仪式，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。

长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。

资料显示，长飞先进与2023年8月与武汉东湖高新区管委会签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目，该项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

当前SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，到2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。

封面图片来源：拍信网