近日，合肥工业大学系统结构研究室边缘性缺陷测试研究团队提出一种可用于6T SRAM（FinFET工艺）自热效应表征方法并在基于FinFET的高性能FPGA平台上进行了实验验证。随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大

11月5日晚间，兆易创新披露公告称，公司拟与合肥石溪兆易创智创业投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称“石溪资本”）、合肥国有资本创业投资有限公司（以下简称“合肥国投”）、合肥国正多泽产业投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“合肥产投&rdq

2024年11月20日，由TrendForce集邦咨询主办的“MTS2025存储产业趋势研讨会（Memory Trend Seminar 2025）”将在深圳鹏瑞莱佛士酒店隆重举办，将全方位探讨2025年存储产业市场趋势与机会，技术演变与应用。本次会议主题为“智算

世界先进近日公布第三季营运报告，合并营收约为新台币（下同）118.04亿元，归属于母公司业主净利约为21.29亿元，每股税后盈余约为1.29元。与上一季营收110.65亿元相比，世界先进第三季营收约增加6.7 %; 归属于母公司业主净利约21.29亿元，上一季为17.98亿元。 随着整体客户的需求持

由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的“国际集成电路展览会暨研讨会”（IIC Shenzhen 2024）于2024年11月5日在深圳福田会展中心7号馆隆重开。展会为期两天，涵盖年度创新产品展示、技术交流、高端产业峰会及专业主题论坛、芯品发布会、拆解秀&

近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级)，AlG

印度Tessolve收购了位于德国汉诺威的领先芯片设计公司Dream Chip Technologies（简称DCT），这笔交易价值40亿卢比（4250万欧元，4740万美元）。DCT拥有72名员工，于2020年被中国企业汇顶科技收购。今年11月5日，汇顶科技发布公告称，拟将公司全资子公司汇顶香港持

11月3日，四川富乐德泛半导体行业用波纹管生产项目竣工投产仪式在内江市经开区举行。据悉，该项目计划总投资3亿元，设计产能约40万件，预计可实现年产值6亿元。其中一期项目投资1.7亿，年设计产能约10.5万件，预计可实现年产值2亿元；二期投资1.3亿元，预计2025年内实施。一期系列产品量产后将广泛应

11月6日，据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳

TrendForce集邦咨询: 在2025年DRAM位元产出增长下，供应商需谨慎规划产能以保持盈利DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升，价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM

行业知情人士称，沙特阿拉伯正计划启动一项新的人工智能（AI）项目，获得高达1000亿美元的支持，以寻求开发一个技术中心，与邻国阿联酋相媲美。据悉，沙特阿拉伯所支持的实体将投资数据中心、初创公司和其他基础设施来开发AI。该公司将以沙特阿拉伯为成为全球AI发展力量而做出的巨大努力为基础。知情人士称，该基

AI时代对高性能、大容量存储技术提出了更高要求，为此，原厂积极推动下一代存储器技术研发。最新消息显示，三星计划本月下旬在“NRD-K”项目上引进设备，以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在内的下一代存储技术发展。据悉，NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研