据中新辽宁消息，3月18日，2024年辽宁省一季度重点项目集中开工动员大会在沈阳市铁西区（经开区、中德园）汉京半导体产业基地项目现场举办。消息显示，汉京半导体产业基地作为集成电路装备产业集群重点项目，由辽宁汉京半导体材料有限公司投资建设，项目总投资10亿元，占地面积9.6万平方米，规划建筑面积12万

据无锡发改消息，3月15日，无锡市委召开今年全市重大产业项目建设现场推进会首场会议，并披露宜兴中车时代中低压功率器件产业化项目，中环集成电路用大直径硅片扩能项目等项目的进展情况。宜兴中车时代中低压功率器件产业化项目，计划总投资59亿元，建成达产后可年产72万片8英寸中低压IGBT晶圆，项目一期已主体

3月19日，英伟达宣布，为加快下一代先进半导体芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC和Synopsys将在生产中使用NVIDIA计算光刻平台。台积电、新思科技已将NVIDI AcuLitho集成到其软件、制造工艺和系统中，在加速芯片制造速度的同时，加快对未来最新一代NVIDIA Blackwell架

近日，深圳爱仕特科技有限公司（以下简称爱仕特）、深圳市英威腾电动汽车驱动技术有限公司、中国科学院深圳先进技术研究院签署合作协议，联合开发基于SiC的新能源汽车高集成度多功能驱动系统，获得了2023年度深圳市创新创业计划—科技重大专项项目的立项批准。该项目技术研发涵盖SiC功率模块、高可靠

近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟

3月18日，据中国台湾经济日报报道，台积电将在台湾地区嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资，园区将拨出六座新厂用地给台积电，比原本预期的四座多两座，总投资额逾5000亿新台币（约合人民币1137亿元），主要扩充晶圆基片芯片（CoWoS）先进封装产能。另据其他媒体消息显示，台积电正考虑在日本建设先进的芯

AI热潮之下，高算力AI芯片需求水涨船高，以英伟达为代表的AI芯片大厂以及其背后产业链持续受益。近期，英伟达发布最新一代AI芯片，推理性能提升30倍，再次引发业界关注。1英伟达市值飙涨最新一代AI芯片性能大幅提升北京时间3月19日凌晨，英伟达宣布推出新一代AI芯片架构Blackwell，首款Blac

近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有

近日，外媒《tomshardware》报道，据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告，其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027~2028年。俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂均计划于2026~2027年完工，约一年后正式投运。根据报道，本次英特尔投资项目是俄亥俄州历史上最大的单一

3月21日，北方华创宣布，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单。这标志着北方华创 CVD （化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用。为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO 2 （ 氧化铪 ）作为栅介质层，结合金

为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，近日，西部数据以“存储周期，激发潜能”带来了新一代车规级UFS 3.1存储解决方案，和采用新一代QLC技术的Western Digital PC SN5000S NVMe™ SSD，以及针对企业级

3月21日，中微公司宣布，公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo nanova®系列第500台反应腔于近日顺利付运国内一家先进的半导体芯片制造商。本批次运付的ICP刻蚀设备Primo nanova®系列产品，均来自该客户的重复订单。此次付运的Primo nanova®