近日，英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。他表示，英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片，但目前尚未通过测试，因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题，黄仁勋表示，认证三星HBM需要更多

受国际形势与不可控因素等影响，全球半导体供应链正在发生转移，具备劳动力和发展条件优势的东南亚地区成为全球大厂的首选之地。其中，马来西亚、印度、新加坡等地已被多数厂商瞄准，并迅速展开布局，占领一席地。昨日最新消息：世界先进将联合恩智浦半导体，在新加坡建设其首座12英寸半导体晶圆制造厂。01世界先进x恩

6.19，TSS2024随着消费电子市场逐渐复苏，加上ChatGPT、Sora等大模型“火爆出圈”，此前步入下行周期的半导体行业逐渐释放利好信号：存储器市场自去年第四季度市况反弹，价格止跌回升，涨势在今年一季度得到延续，多家存储大厂业绩报喜，HBM与DDR5等高附加值产品备受

据锡东新城消息，6月5日，昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。此次签约的项目总投资超10亿元，主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线，可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。资料显示，昕

今日，以“绿色向新，释放新质生产力”为主题的英特尔®至强®6能效核处理器新品发布会在北京举行。会上，英特尔重磅推出首款配备能效核的英特尔至强6处理器产品（代号Sierra Forest），为高密度、横向扩展工作负载带来性能与能效的双重提升，同时携手金山云、浪潮

据日本媒体报道，存储器大厂铠侠近日宣布，将从其第10代NAND产品开始，在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术，以进一步提升生产效率，并追赶全球领先的竞争对手。报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（

6月5日，美光科技宣布出样业界容量密度最高的新一代GDDR7显存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，速率高达32Gb/s。性能上，GDDR7的系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升高达60%，并配备四个独立通道以优化工作负载，从而实现更快的响应时间、更流

6月6日，盛剑环境国产半导体制程附属设备及关键零部件项目举行封顶仪式。据盛剑环境介绍，该项目预计总投资金额为人民币6亿元。为保障本次项目的实施，盛剑环境对外投资设立子公司盛剑半导体作为项目实施主体，旨在打造一个集研发、制造、销售和维保服务为一体的国产先进半导体附属装备平台，致力于完善国产半导体领域产

据北京亦庄消息，近日，北京集成电路产教融合基地项目已全面进入地上钢结构施工新阶段，预计于2025年9月投入使用。消息显示，该项目于2023年6月开工，通过以教促产，以产助教，为培育集成电路领域高端人才进一步打下坚实基础。项目建成后，能满足2000人同时在校培训。据了解，2023年6月，北京集成电路产

全球半导体已发展成为提升国际竞争力的核心产业之一，而供应链的独立性、多元化和安全性正是各方关心的重点。中国、美国、欧盟、日韩等国家或地区纷纷加强半导体产业布局，稳固供应链体系，在此之下，又一国家进攻半导体。据彭博社报道，近日，沙特阿拉伯宣布成立国家半导体中心，专注发展IC设计生态系，目标于2030年

2024年6月6日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际于 「2024台北国际电脑展 (Computex 2024)」 期间，现场展示各式不同 DDR5 内存的极致超频速度，除了常见的台式机电脑内存 U-DIMM，也包含了超频 R-DIMM 及最新的 CAMM2 DDR5

近日，韩国贸易、工业和能源部宣布，韩国本土半导体制造商EYEQ Lab已开始在釜山功率半导体元件和材料特区内建设韩国首座8英寸碳化硅功率半导体工厂，该项目于6月5日举行了奠基仪式。据悉，EYEQ Lab公司成立于2018年5月，原本是一家功率半导体无晶圆厂公司。此番计划投资1000亿韩元（约5.3亿