近年来，全球半导体市场竞争进入白热化阶段，在复杂的国际环境形势下，韩国、美国、日本、欧洲等纷纷采取芯片补贴措施加强本土半导体产业的发展。美国为重振半导体生产，于2022年正式通过了《芯片与科学法案》，其中包括向半导体行业提供约527亿美元的资金支持，为企业提供价值240亿美元的投资税抵免等。半导体制

近日，据媒体报道，硅谷人工智能（AI）芯片初创公司Etched表示，已在A轮融资中筹集1.2亿美元，该公司计划利用这笔资金进一步开发其专用AI芯片。据报道，由哈佛辍学生Gavin Uberti和Chris Zhu于2022年创立的Etched，凭借其用于AI的ASIC芯片，从最底层的架构层面为主流A

昨日（6月26日），晶圆代工厂商世界先进发布公告称，旗下新加坡子公司VSMC董事会同意向台积电取得无形资产。世界先进表示，VSMC将向台积电取得包括130纳米至40纳米BCD等在内的七项技术授权，技术授权费总金额1.5亿美元，将以自有资金、借款或现金增资方式支应。资料显示，VSMC是世界先进和恩智浦

据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC

当前半导体产业逐渐复苏，加上AI人工智能、汽车电子等产业的快速发展，半导体厂商投资热情持续高涨。与此同时，随着工艺制程竞赛日趋激烈，晶圆代工头部厂商已将目光瞄准2纳米制程，而台积电作为全球最大的晶圆代工企业，2纳米工厂也正在如火如荼的建设中。102.6亿美元增资案获批6月27日，中国台湾经济部投资审

6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产，以满

6月24日，湖南省功率半导体产业对接会暨功率半导体行业联盟第八届发展战略高峰论坛在株洲举行。会上，4个功率半导体项目现场签约，分别为特种变压器智能制造基地项目、SiC半导体设备与基材生产基地、沃坦科通信连接器项目、功率半导体基板批量制造基地项目。其中，SiC半导体设备与基材生产基地项目建设单位为株洲

·开发完成支持PCIe5.0 x8接口的‘PCB01’固态硬盘，将于今年内开始量产并向市场推出·面向PC的固态硬盘产品中实现行业最高性能，专为端侧AI应用进行优化·“继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存

近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度

据浦口经开区消息，6月30日，江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出型封装产业化项目奠基仪式举行，标志着该项目进入全面施工阶段。消息显示，盘古半导体先进封测项目计划总投资30亿元。项目分两个阶段建设，其中一阶段建设期为2024至2028年，新建总建筑面积约12万平方米的厂房及相关附属配套

6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：&ldqu

TrendForce集邦咨询：预估第三季NAND Flash产品合约价涨幅收敛至5-10%根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季除了企业端持续投资服务器建设，尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用，继续受到订单推动，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅