据《Calcalist》报道，英伟达正在洽谈收购以色列人工智能公司Run:AI，该公司开发用于管理人工智能计算资源的软件。这笔交易的价值预计达数亿美元，甚至可能达到10亿美元。但是，报道指出，两家公司均为回应相关消息。据了解，Run:AI成立于2018年，该公司开发了一个编排和虚拟化软件层，专门针对

3月18日，国产半导体CIM厂商赛美特宣布已于近期完成数亿元C+轮融资，本轮融资由成都策源资本领投，允泰资本、申万宏源、蓝海洋基金、兴业银行等跟投。融资资金主要用于产研投入和人才储备，并加速海外市场拓展，推动国产智能制造软件解决方案走进更多世界工厂。完成C+轮融资后，赛美特手握近10亿现金，再加上企

近日，据镇江市广播电视台报道，容泰半导体二期项目进展顺利，厂房占地面积961.52平方米，预计于2024年5月试产，并计划于6月进行量产。资料显示，容泰半导体（江苏）于2019年11月成立，位于江苏省句容开发区华祥耀半导体产业园，致力于新型功率半导体器件的设计、研发和生产。环评资料显示，容泰半导体（

光刻胶是半导体制作的关键材料，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠”。其能够利用光化学反应，经过曝光、显影等光刻工艺，将所需微细图形从掩模版转移到待加工基片上。半导体光刻胶品种众多，包括EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、I/G线光刻胶。就现状看，业界指出，我国光刻胶国产

受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经

近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道

近日，苏州集成电路高端材料基地项目取得桩基施工许可证，实现“拿地即开工”项目是江苏省重大项目之一，位于吴淞江以东、海藏西路以南、东方大道以北、东石泾港路以西，总占地面积约192亩，预计总投资约100亿元，全部达产后预计每月生产50万片产品。本次先行开工的北地块占地面积约73.

· 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量

自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏

TrendForce集邦咨询：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DR

TrendForce集邦咨询：铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%据TrendForce集邦咨询研究显示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产

3月16日，国博电子发布公告称，公司将募集资金投资项目“射频芯片和组件产业化项目”（以下简称“募投项目”）达到预定可使用状态的日期延长至2025年3月。关于项目延期原因，国博电子表示，射频芯片和组件产业化项目在实施过程中，面对复杂多变的外部经济环境影响