1月9日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功开发出了用于垂直晶体管的8英寸氮化镓（GaN）单晶晶圆。这是丰田合成在此前制造6英寸氮化镓单晶晶圆基础上，又一次实现氮化镓单晶晶圆尺寸突破。据悉，与使用采用硅基氮化镓工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂

近日包括士兰集宏、安意法半导体两条8英寸碳化硅产线迎来最新进展。其中值得注意的是，2025年被业界称作 “8英寸碳化硅元年”，这一年是全球8英寸碳化硅芯片厂试产与量产爬坡的攻坚之年。当下，终端应用降本需求愈发强劲，8英寸碳化硅的价值也随之水涨船高。1士兰集宏8英寸碳化硅芯片项

近日，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（以下简称“大基金二期”）再次出手，投资了一家半导体设备厂商。据悉，南京中安半导体设备有限责任公司（以下简称“中安半导体”）工商信息于1月7日发生变更，注册资本由5245.62万元增至5756.06万元，增

“芯”闻摘要北京亦庄再砸100亿！海内外半导体厂商合作加强国家大基金投资存储市场迎三大挑战EDA厂商完成近十亿元融资A股3份并购案出炉1北京亦庄再砸100亿！据北京亦庄官方消息，近日北京亦庄将设立规模100亿的政府投资引导基金二期，继续聚焦四大主导产业、六大未来产业等符合当地

CES 2025期间，英伟达CEO黄仁勋表示，英伟达AI芯片效能演进速度已超过摩尔定律。资料显示，摩尔定律由英特尔公司共同创办人摩尔（Gordon Moore）提出，是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也提升一倍。黄仁勋近期对媒体表示，英伟达的系统进步速度比摩尔定律快得

1月6日，清溢光电佛山生产基地“高精度掩膜版生产基地建设项目”封顶。清溢光电指出，该项目圆满封顶，不仅是对公司研发和生产实力的有力证明，也为公司在平板显示领域的发展注入了新的活力。据深圳清溢光电股份有限公司介绍，该项目从桩基施工到全面封顶，历经232天的辛勤耕耘。如今，净化房

近日，美国存储大厂美光科技宣布正式在新加坡动工兴建全新的HBM先进封装工厂。据悉，该工厂将是新加坡首个此类工厂，计划于2026年开始运营，美光的先进封装总产能将从2027年开始大幅扩大，以满足人工智能增长的需求。该工厂的启动将进一步加强新加坡当地的半导体生态系统和创新。图片来源：美光官网美光介绍称，

1月9日，据中国电科48所官微消息，中国电科48所立式氧化炉近日完成批量交付。立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造关键工艺设备，主要用于高温氧化及退火工艺。据悉，氧化退火对于碳化硅功率器件制造至关重要。氧化退火处理能够优化碳化硅表面的氧化层结构，形成均匀、高质量的SiO₂栅氧化层。

CES 2025国际消费电子展上，半导体产品动态引起极大关注，存储器也不例外，SK海力士与美光两家大厂对外展示了其创新产品。SK海力士在本届CES上设立了人工智能数据中心展示区域，其展出的尖端、面向人工智能的存储技术包括HBM、服务器DRAM、eSSD、CXL及PIM。其中，16层HBM3E样品备受

1月9日，据珠海建安消息，由珠海建安承建的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目近日通过竣工验收。据悉，由华芯微电子主导的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目是广东省重点项目、珠海市产业立柱项目，格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元。该项目于2023年7月正式开工

近日，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”），一家专注于存储芯片技术创新的企业，宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与，这不仅为公司带来了资本的注入，也引入了丰富的行业资源和战略合作机会，旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场

近日，北京君正在接受机构调研时，透露了关于DRAM的新工艺情况。北京君正表示，工艺上，21nm和20nm都有在研，预计21nm、20nm预计今年会推出，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。21nm工艺首先会用来提升DDR3的性能，后续的更新工艺会用在DDR4和LPDDR4上。此外，北京君正称公司有关