近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级)，AlG

印度Tessolve收购了位于德国汉诺威的领先芯片设计公司Dream Chip Technologies（简称DCT），这笔交易价值40亿卢比（4250万欧元，4740万美元）。DCT拥有72名员工，于2020年被中国企业汇顶科技收购。今年11月5日，汇顶科技发布公告称，拟将公司全资子公司汇顶香港持

11月3日，四川富乐德泛半导体行业用波纹管生产项目竣工投产仪式在内江市经开区举行。据悉，该项目计划总投资3亿元，设计产能约40万件，预计可实现年产值6亿元。其中一期项目投资1.7亿，年设计产能约10.5万件，预计可实现年产值2亿元；二期投资1.3亿元，预计2025年内实施。一期系列产品量产后将广泛应

11月6日，据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳

TrendForce集邦咨询: 在2025年DRAM位元产出增长下，供应商需谨慎规划产能以保持盈利DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升，价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM

行业知情人士称，沙特阿拉伯正计划启动一项新的人工智能（AI）项目，获得高达1000亿美元的支持，以寻求开发一个技术中心，与邻国阿联酋相媲美。据悉，沙特阿拉伯所支持的实体将投资数据中心、初创公司和其他基础设施来开发AI。该公司将以沙特阿拉伯为成为全球AI发展力量而做出的巨大努力为基础。知情人士称，该基

AI时代对高性能、大容量存储技术提出了更高要求，为此，原厂积极推动下一代存储器技术研发。最新消息显示，三星计划本月下旬在“NRD-K”项目上引进设备，以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在内的下一代存储技术发展。据悉，NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研

TrendForce集邦咨询表示，2023年全球DRAM模组市场整体营收达125亿美元，年减幅达28%。主因为消费性电子产品在疫情过后进入库存去化期，导致DRAM产品价格下滑，原厂的高稼动策略更加剧价格跌势，直到2023年下半才开始反弹。由于各业者所在市场区块及经营策略不同，营收表现也明显分歧。20

2024年11月20日（周三），由TrendForce集邦咨询主办的2025存储产业趋势研讨会(Memory Trend Seminar 2025)将在深圳隆重举办。随着AI应用的扩大，存储器市场需求也呈现量的飞跃。届时，苏州欧康诺电子科技股份有限公司总经理赵铭将带来《测试技术：存储产业高质量发展的

近日，《泉州市支持人工智能产业发展若干措施》（以下简称“《若干措施》”）发布。《若干措施》以真金白银，在算力中心、算力租用、人工智能场景、终端产品、工业产品、云服务产品、培训、创新平台、技术创新重点攻关等九个方面推进泉州市人工智能产业发展，加快人工智能与实体经济深度融合，引领

目前全球半导体行业进入新一轮的变革时期，AI、大数据、云计算等技术快速发展，对高性能计算芯片、光通信芯片、先进封装等需求急剧增加，供应端正扩大产能以满足需求，市场正上演一场场激烈的竞争和价格波动。供需关系的变化影响着行业方向，近期，市场上这几类芯片传出涨价声音。图片来源：拍信网先进制程、先进封装产品

NAND Flash存储大厂铠侠为布局AI领域，计划开发新的技术路线。据日经新闻报道，铠侠11月6日宣布，将开发用于人工智能AI的下一代存储器。铠侠计划将在今后3年内、投下360亿日元（约合人民币16.73亿元）进行技术研发，而日本经济产业省最高将补助50%费用（即180亿日元），目标在2030-2