6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产，以满

6月24日，湖南省功率半导体产业对接会暨功率半导体行业联盟第八届发展战略高峰论坛在株洲举行。会上，4个功率半导体项目现场签约，分别为特种变压器智能制造基地项目、SiC半导体设备与基材生产基地、沃坦科通信连接器项目、功率半导体基板批量制造基地项目。其中，SiC半导体设备与基材生产基地项目建设单位为株洲

·开发完成支持PCIe5.0 x8接口的‘PCB01’固态硬盘，将于今年内开始量产并向市场推出·面向PC的固态硬盘产品中实现行业最高性能，专为端侧AI应用进行优化·“继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存

近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度

据浦口经开区消息，6月30日，江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出型封装产业化项目奠基仪式举行，标志着该项目进入全面施工阶段。消息显示，盘古半导体先进封测项目计划总投资30亿元。项目分两个阶段建设，其中一阶段建设期为2024至2028年，新建总建筑面积约12万平方米的厂房及相关附属配套

6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：&ldqu

TrendForce集邦咨询：预估第三季NAND Flash产品合约价涨幅收敛至5-10%根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季除了企业端持续投资服务器建设，尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用，继续受到订单推动，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅

“芯”闻摘要先进封装迎来最强风口内闪存产品合约价预测AI NB渗透率将成长至20.4%国内又一批集成电路基金落地三星、美光扩产存储厂商争夺GDDR7话语权1先进封装迎来最强风口6月21日，日月光投控旗下日月光半导体日宣布，与日月光旗下宏璟建设在高雄兴建K28厂，预计2026年

TrendForce集邦咨询：上游供应链库存回补及需求增温，第三季服务器出货增幅4-5%根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新报告指出，今年整体环境虽受AI预算影响，导致全年通用型服务器(general server)成长不如预期，但近期相关零部件，如基板管理控制器(BMC, Boar

据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬

7月12-13日，由国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟主办，通富微电子股份有限公司（国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟当值理事长单位）、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、长三角集成电路融合创新发展产业联盟、苏州工业园区集成电路产业投资发展有限公司、上海风米云传媒科技有限公司承办、江苏省

近日，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会召开，会上揭晓了2023年度国家科学技术奖，共评选出250个项目，包括49项国家自然科学奖，62项国家技术发明奖，139项国家科技进步奖。据悉，在2023国家科学技术奖全名单中，有不少集成电路领域的企业上榜，包括华海清科、三安集成、华润微、士兰微